可控硅（Silicon Controlled Rectifier, SCR）关断的条件通常涉及减小或消除阳极至阴极之间的正向电压，使得阳极电流降至最小维持电流以下。以下是关断可控硅的几种方法：
减小正向电压减小主端子A和K之间的正向电压，直至电压降为零，或施加反向电压。
利用储能电路通过特定的电路设计，如RC串联电路，在可控硅导通期间使门极（G极）无电压，等待交流电的下一个零点到来时自然关断。
负偏压为了确保可靠关断，可以给可控硅加上负的偏压。
过零检测对于控制直流负载的可控硅，可以通过过零检测电路，在交流电经过零点时关闭可控硅。
GTO特性特定的可关断可控硅，如GTO（Gate Turn-Off Thyristor），具有门极加负向触发信号自行关断的能力。
关断可控硅时需要注意，一旦导通，即使去除了控制极（G极）的电压，可控硅可能仍然保持导通状态，除非采取上述措施降低阳极电流至维持电流以下。